0 Ставка
Мој налог
Телефон: (011) 7541-421, 3409-301, 3409-335, 6547-293, 3409-310
E-mail: Продаја стандарда: prodaja@iss.rs Семинари, обуке: iss-edukacija@iss.rs Информације о стандардима: infocentar@iss.rs
Стевана Бракуса 2, 11030 Београд
Главни мени

IEC 63068-2:2019 ED1

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection
30. 1. 2019.

Опште информације

60.60     30. 1. 2019.

IEC

TC 47

Међународни стандард

31.080.99  

енглески  

Куповина

Објављен

Језик на коме желите да примите документ.

Апстракт

IEC 63068-2:2019(E) provides definitions and guidance in use of optical inspection for detecting as-grown defects in commercially available 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies optical images to enable the detection and categorization of the defects for SiC homoepitaxial wafers. This document deals with a non-destructive test method for the defects so that destructive methods such as preferential etching are out of scope in this document.

Животни циклус

ТРЕНУТНО

ОБЈАВЉЕН
IEC 63068-2:2019 ED1
60.60 Стандард објављен
30. 1. 2019.