0 Ставка
Мој налог
Телефон: (011) 7541-421, 3409-301, 3409-335, 6547-293, 3409-310
E-mail: Продаја стандарда: prodaja@iss.rs Семинари, обуке: iss-edukacija@iss.rs Информације о стандардима: infocentar@iss.rs
Стевана Бракуса 2, 11030 Београд
Главни мени

IEC 63068-4:2022 ED1

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence
27. 7. 2022.

Опште информације

60.60     27. 7. 2022.

IEC

TC 47

Међународни стандард

31.080.99  

енглески  

Куповина

Објављен

Језик на коме желите да примите документ.

Апстракт

IEC 63068-4:2022(E) provides a procedure for identifying and evaluating defects in as-grown 4H-SiC (Silicon Carbide) homoepitaxial wafer by systematically combining two test methods of optical inspection and photoluminescence (PL). Additionally, this document exemplifies optical inspection and PL images to enable the detection and categorization of defects in SiC homoepitaxial wafers.

Животни циклус

ТРЕНУТНО

ОБЈАВЉЕН
IEC 63068-4:2022 ED1
60.60 Стандард објављен
27. 7. 2022.