0 Ставка
Мој налог
Телефон: (011) 7541-421, 3409-301, 3409-335, 6547-293, 3409-310
E-mail: Продаја стандарда: prodaja@iss.rs Семинари, обуке: iss-edukacija@iss.rs Информације о стандардима: infocentar@iss.rs
Стевана Бракуса 2, 11030 Београд
Главни мени

IEC 63373:2022 ED1

Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices
10. 2. 2022.

Опште информације

60.60     10. 2. 2022.

IEC

TC 47

Међународни стандард

31.080.99  

енглески   француски  

Куповина

Објављен

Језик на коме желите да примите документ.

Апстракт

IEC 63373:2022 In general, dynamic ON-resistance testing is a measure of charge trapping phenomena in GaN power transistors. IEC 63373:2022 provides guidelines for testing dynamic ON-resistance of GaN lateral power transistor solutions. The test methods can be applied to the following:
a) GaN enhancement and depletion-mode discrete power devices;
b) GaN integrated power solutions;
c) the above in wafer and package levels.
The prescribed test methods can be used for device characterization, production testing, reliability evaluations and application assessments of GaN power conversion devices. This document is not intended to cover the underlying mechanisms of dynamic ON-resistance and its symbolic representation for product specifications.

Животни циклус

ТРЕНУТНО

ОБЈАВЉЕН
IEC 63373:2022 ED1
60.60 Стандард објављен
10. 2. 2022.

Национална преузимања

SRPS EN IEC 63373:2022  
ISS

Смернице за динамичке методе испитивања отпорности вођења GaN HEMT на којима су базирани уређаји за претварање снаге

60.60   Стандард објављен

N022 Сазнај више