0 Ставка
Мој налог
Телефон: (011) 7541-421, 3409-301, 3409-335, 6547-293, 3409-310
E-mail: Продаја стандарда: prodaja@iss.rs Семинари, обуке: iss-edukacija@iss.rs Информације о стандардима: infocentar@iss.rs
Стевана Бракуса 2, 11030 Београд
Главни мени

IEC 63068-1:2019 ED1

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects
30. 1. 2019.

Опште информације

60.60     30. 1. 2019.

IEC

TC 47

Међународни стандард

31.080.99  

енглески  

Куповина

Објављен

Језик на коме желите да примите документ.

Апстракт

IEC 63068-1:2019(E) gives a classification of defects in as-grown 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial layers. The defects are classified on the basis of their crystallographic structures and recognized by non-destructive detection methods including bright-field OM (optical microscopy), PL (photoluminescence), and XRT (X-ray topography) images.

Животни циклус

ТРЕНУТНО

ОБЈАВЉЕН
IEC 63068-1:2019 ED1
60.60 Стандард објављен
30. 1. 2019.