0 Ставка
Мој налог
Телефон: (011) 7541-421, 3409-301, 3409-335, 6547-293, 3409-310
E-mail: Продаја стандарда: prodaja@iss.rs Семинари, обуке: iss-edukacija@iss.rs Информације о стандардима: infocentar@iss.rs
Стевана Бракуса 2, 11030 Београд
Главни мени

ISO 5618-2:2024

Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for GaN crystal surface defects — Part 2: Method for determining etch pit density
30. 4. 2024.

Опште информације

60.60     30. 4. 2024.

ISO

ISO/TC 206

Међународни стандард

81.060.30  

енглески   француски  

Куповина

Објављен

Језик на коме желите да примите документ.

Апстракт

This document describes a method for determining the etch pit density, which is used to detect dislocations and processing-introduced defects that occur on single-crystal GaN substrates or single-crystal GaN films.
It is applicable to the defects specified in ISO 5618-1 from among the defects exposed on the surface of the following types of GaN substrates or films: single-crystal GaN substrate; single-crystal GaN film formed by homoepitaxial growth on a single-crystal GaN substrate; or single-crystal GaN film formed by heteroepitaxial growth on a single-crystal Al2O3, SiC, or Si substrate.
It is applicable to defects with an etch pit density of ≤ 7 × 107 cm-2.

Животни циклус

ТРЕНУТНО

ОБЈАВЉЕН
ISO 5618-2:2024
60.60 Стандард објављен
30. 4. 2024.