Објављен
Овај део IEC 63275-1 описује испитну методу за процену померања напона прага гејта силицијум карбидних (SiC) метал-оксид полупроводничких транзистора са ефектом поља (MOSFETs) очитавањем собне температуре након примене континуираног позитивног напона напрезања гејт- сорс на повишеној температури. Предложена метода прихвата одређени износ опоравка дозвољавајући велика времена кашњења између напрезања и мерења (до 10h).
НАПОМЕНА: Уколико се у пољу са називом директиве не налази реч „хармонизован“ (обележена зеленом бојом), то значи да европски стандард није цитиран у OJEU.
ОБЈАВЉЕН
SRPS EN IEC 62819:2024
60.60
Стандард објављен
29. 2. 2024.
ОБЈАВЉЕН
SRPS EN IEC 62819:2024/AC:2024