Objavljen
Ovaj deo IEC 63275-1 opisuje ispitnu metodu za procenu pomeranja napona praga gejta silicijum karbidnih (SiC) metal-oksid poluprovodničkih tranzistora sa efektom polja (MOSFETs) očitavanjem sobne temperature nakon primene kontinuiranog pozitivnog napona naprezanja gejt- sors na povišenoj temperaturi. Predložena metoda prihvata određeni iznos oporavka dozvoljavajući velika vremena kašnjenja između naprezanja i merenja (do 10h).
NAPOMENA: Ukoliko se u polju sa nazivom direktive ne nalazi reč „harmonizovan“ (obeležena zelenom bojom), to znači da evropski standard nije citiran u OJEU.
OBJAVLJEN
SRPS EN IEC 62819:2024
60.60
Standard objavljen
29. 2. 2024.
OBJAVLJEN
SRPS EN IEC 62819:2024/AC:2024