0 Ставка
Мој налог
Телефон: (011) 7541-421, 3409-301, 3409-335, 6547-293, 3409-310
E-mail: Продаја стандарда: prodaja@iss.rs Семинари, обуке: iss-edukacija@iss.rs Информације о стандардима: infocentar@iss.rs
Стевана Бракуса 2, 11030 Београд
Главни мени

IEC 63068-3:2020 ED1

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence
13. 7. 2020.

Опште информације

60.60     13. 7. 2020.

IEC

TC 47

Међународни стандард

31.080.99  

енглески   француски  

Куповина

Објављен

Језик на коме желите да примите документ.

Апстракт

IEC 63068-3:2020 provides definitions and guidance in use of photoluminescence for detecting as-grown defects in commercially available 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies photoluminescence images and emission spectra to enable the detection and categorization of the defects in SiC homoepitaxial wafers.

Животни циклус

ТРЕНУТНО

ОБЈАВЉЕН
IEC 63068-3:2020 ED1
60.60 Стандард објављен
13. 7. 2020.