0 Ставка
Мој налог
Телефон: (011) 7541-421, 3409-301, 3409-335, 6547-293, 3409-310
E-mail: Продаја стандарда: prodaja@iss.rs Семинари, обуке: iss-edukacija@iss.rs Информације о стандардима: infocentar@iss.rs
Стевана Бракуса 2, 11030 Београд
Главни мени

ISO 17560:2002

Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
18. 7. 2002.
95.99   Повучен   10. 9. 2014.

Опште информације

95.99     10. 9. 2014.

ISO

ISO/TC 201/SC 6

Међународни стандард

71.040.40  

енглески  

Куповина

Повучен

Језик на коме желите да примите документ.

Апстракт

ISO 17560:2002 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous-silicon specimens with boron atomic concentrations between 1×1016 atoms/cm3 and 1×1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.

Животни циклус

ТРЕНУТНО

ПОВУЧЕН
ISO 17560:2002
95.99 Повучен
10. 9. 2014.

РЕВИДИРАН ОД

ОБЈАВЉЕН
ISO 17560:2014