0 Ставка
Мој налог
Телефон: (011) 7541-421, 3409-301, 3409-335, 6547-293, 3409-310
E-mail: Продаја стандарда: prodaja@iss.rs Семинари, обуке: iss-edukacija@iss.rs Информације о стандардима: infocentar@iss.rs
Стевана Бракуса 2, 11030 Београд
Главни мени

ISO 17560:2014

Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
10. 9. 2014.

Опште информације

90.93     4. 8. 2025.

ISO

ISO/TC 201/SC 6

Међународни стандард

71.040.40  

енглески  

Куповина

Објављен

Језик на коме желите да примите документ.

Апстракт

ISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.

Животни циклус

ПРЕТХОДНО

ПОВУЧЕН
ISO 17560:2002

ТРЕНУТНО

ОБЈАВЉЕН
ISO 17560:2014
90.93 Одлука о потврђивању стандарда
4. 8. 2025.