photovoltaic device in which its optical properties are modified by incorporating metallic nanoparticles (IEV 511-01-12) to the semiconductor (IEV 121-12-06) layer of the device
Note 1 to entry: The nanostructure (IEV 511-01-08) of the metallic particles increases the absorption (IEV 705-02-07) and scattering (IEV 705-04-46) of incident light and supports strong localized collective electron excitations known as surface plasmons.
Note 2 to entry: Plasmon-resonance-generating metallic nanostructures are provided on the semiconductor layer of the device for resonantly coupling light into the absorbing layer and transporting photo-induced charge carriers (IEV 113-06-25) out of the absorbing layer, thereby improving the performance of the device.
fotonaponski uređaj čija su optička svojstva modifikovana uvođenjem metalnih nanočestica (IEV 511-01-12) u poluprovodnički sloj (IEV 121-12-06) uređaja
NAPOMENA 1 uz termin: Nanostruktura (IEV 511-01-08) metalnih čestica povećava apsorpciju (IEV 705-02-07) i rasipanje (IEV 705-04-46) incidentnog svetla i podržava jake lokalizovane kolektivne elektronske pobude koje su poznate kao površinski plazmoni.
NAPOMENA 2 uz termin: Metalne nanostrukture koje generišu plazmonsku rezonancu su nanesene na poluprovodnički sloj uređaja za rezonantno spajanje svetlosti u apsorbujući sloj i prenošenje foto-indukovanih nosača naelektrisanja iz apsorbujućeg sloja, čime se poboljšavaju performanse uređaja.
фотонапонски уређај чија су оптичка својства модификована увођењем металних наночестица (IEV 511-01-12) у полупроводнички слој (IEV 121-12-06) уређаја
НАПОМЕНА 1 уз термин: Наноструктура (IEV 511-01-08) металних честица повећава апсорпцију (IEV 705-02-07) и расипање (IEV 705-04-46) инцидентног светла и подржава јаке локализоване колективне електронске побуде које су познате као површински плазмони.
НАПОМЕНА 2 уз термин: Металне наноструктуре које генеришу плазмонску резонанцу су нанесене на полупроводнички слој уређаја за резонантно спајање светлости у апсорбујући слој и преношење фото-индукованих носача наелектрисања из апсорбујућег слоја, чиме се побољшавају перформансе уређаја.