efekat ubacivanja naelektrisanja

a change in the refractive index of a semiconductor due to a variation in charge carrier concentration; the change in the index is proportional but opposite in sign to the variation of carrier concentration

promena indeksa prelamanja poluprovodne sredine usled promene koncentracije nosilaca naelektrisanja; promena indeksa prelamanja je proporcionalna promeni koncentracije nosilaca, ali sa suprotnim predznakom

promena indeksa prelamanja poluprovodne sredine usled promene koncentracije nosilaca naelektrisanja; promena indeksa prelamanja je proporcionalna promeni koncentracije nosilaca, ali sa suprotnim predznakom