a laser diode structure ensuring highly efficient lateral confinement of the radiation by strong index guiding NOTE The structure is obtained by a two step epitaxial process, growing the last epilayers on a substrate with two longitudinal etched channels.
struktura laserske diode koja obezbeđuje veoma efikasno bočno ograničavanje zračenja jakim vođenjem pomoću indeksa prelamanja NAPOMENA Ovakva struktura je dobijena epitaksijalnim procesom u dva koraka, rastom poslednjih epitaksijalnih slojeva na podlozi sa dva longitudinalna kanala dobijena nagrizanjem.
struktura laserske diode koja obezbeđuje veoma efikasno bočno ograničavanje zračenja jakim vođenjem pomoću indeksa prelamanja NAPOMENA Ovakva struktura je dobijena epitaksijalnim procesom u dva koraka, rastom poslednjih epitaksijalnih slojeva na podlozi sa dva longitudinalna kanala dobijena nagrizanjem.
Nema informacija