ivična heterostruktura talasovoda

a laser diode structure ensuring efficient lateral confinement of the radiation by a weak lateral index guiding due to a suitable geometry of the layers NOTE The structure is obtained by a one step epitaxial process, by selective etching of the upper layer, resulting in a top longitudinal ridge, through which current is injected and confined.

struktura laserske diode koja obezbeđuje efikasno bočno ograničavanje zračenja slabim bočnim vođenjem pomoću indeksa prelamanja, zahvaljujući odgovarajućoj geometriji slojeva NAPOMENA Struktura je dobijena epitaksijalnim procesom u jednom koraku, selektivnim nagrizanjem gornjeg sloja, koje rezultuje gornjom longitudinalnom ivicom kroz koji se vrši injektiranje i ograničavanje struje.

struktura laserske diode koja obezbeđuje efikasno bočno ograničavanje zračenja slabim bočnim vođenjem pomoću indeksa prelamanja, zahvaljujući odgovarajućoj geometriji slojeva NAPOMENA Struktura je dobijena epitaksijalnim procesom u jednom koraku, selektivnim nagrizanjem gornjeg sloja, koje rezultuje gornjom longitudinalnom ivicom kroz koji se vrši injektiranje i ograničavanje struje.